Транзистор N/P-MOSFET Infineon BSL316CH6327XTSA1, 30 В, 1,4 А, 0,5 Вт (набір 30 шт.)

Транзистор N/P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель BSL316CH6327XTSA1. Це транзистори N/P-MOSFET у корпусі PG-TSOP-6 з максимальним струмом 1,4 А та потужністю розсіювання 0,5 Вт.

• Тип транзистора: польовий (MOSFET), N/P-канали
• Максимальна напруга затвор-витік: 20 В
• Струм дрена: 1,4 А (N) / -1,5 А (P)
• Потужність розсіювання: 0,5 Вт
• Корпус: PG-TSOP-6, поверхневий монтаж
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистори мають уніполярну структуру з каналом типу збагачення. Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В, а напруга дрена-джерело — 30 В для N-каналу та -30 В для P-каналу. Струм дрена дорівнює 1,4 А для N-каналу та -1,5 А для P-каналу. Опір у стані провідності складає 0,191 Ом для N-каналу та 0,177 Ом для P-каналу.

Конструкція та монтаж

Компоненти виготовлені за технологією OptiMOS™ 2. Корпус PG-TSOP-6 призначений для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна потужність розсіювання обмежена 0,5 Вт.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 30 транзисторів. Символ виробника: BSL316CH6327XTSA1.