Біполярний транзистор NPN типу BRT від виробника Infineon Technologies, модель BCR112E6327HTSA1. Призначений для поверхневого монтажу в корпусі SOT23, має максимальну напругу колектор-емітер 50 В та струм колектора 0,1 А.
- Тип транзистора: біполярний NPN
- Корпус: SOT23, монтаж поверхневий
- Максимальна напруга колектор-емітер: 50 В
- Максимальний струм колектора: 0,1 А
- Гранична частота передачі: 140 МГц
- Потужність розсіювання: 0,2 Вт
- Вбудовані резистори: 4,7 кОм
- Кількість у наборі: 70 шт.
Електричні параметри
Гранична частота передачі становить 140 МГц. Максимально допустима напруга колектор-емітер становить 50 В, а максимальний струм колектора — 0,1 А. Максимальна потужність розсіювання становить 0,2 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT23 із типом монтажу «поверхневий» (SMD). Компонент має вбудовані резистори база-емітер та емітер-база номіналом 4,7 кОм.
Комплектація
Товар поставляється набором із 70 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.2 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 50 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 140 МГц |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴


