Транзистор N-JFET Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F), SC59, 0.15 Вт, 6.5 мА (набір 30 шт.)

Транзистор N-JFET Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F) у корпусі SC59. Це польовий транзистор з максимальною потужністю розсіювання 0.15 Вт та струмом стоку 6.5 мА.

• Тип транзистора: N-JFET (польовий)
• Корпус: SC59, поверхневий монтаж
• Максимальна потужність: 0.15 Вт
• Максимальний струм стоку: 6.5 мА
• Струм керування (Igt): 10 мА
• Кількість у наборі: 30 шт.

Електричні параметри

Пристрій є польовим транзистором типу N-JFET. Максимальна потужність розсіювання становить 0.15 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 6.5 мА. Згідно з даними магазину, струм керування (Igt) становить 10 мА.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у поверхневому монтажі (SMD). Корпус SC59 є стандартним для компактних електронних вузлів. Компонент є уніполярним, що впливає на схему його підключення.

Комплектація

У наборі постачається 30 транзисторів Toshiba 2SK209-GR(TE85L,F).