Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002KT1G, 60 В, 0,38 А, SOT23 (набір 100 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002KT1G — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23. Комплект містить 100 одиниць.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 0,38 А
• Корпус: SOT23, монтаж поверхневий
• Потужність розсіювання: 0,42 Вт
• Кількість у комплекті: 100 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 0,38 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 2500 мОм.

Конструкція та монтаж

Тип монтажу — поверхневий (SMD). Корпус — SOT23. Максимальна потужність розсіювання — 0,42 Вт. Заряд затвора — 0,7 нКл.

Канал та заряд затвора

Тип каналу — збагачуваний (enhancement mode). Заряд затвора становить 0,7 нКл, що визначає швидкість перемикання та енергоспоживання при керуванні сигналом. Транзистор є уніполярним, тобто керується напругою на затворі без постійного струму керування в стаціонарному стані. У наборі 100 транзисторів.