Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET7G, 60 В, 220 мА, SOT23 (набір 150 шт.)
2 450 ₴
- В наявності
- Код: TM201806
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET7G, 60 В, 220 мА, SOT23 (набір 150 шт.)В наявності
2 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI 2N7002ET7G — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Комплект містить 150 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 220 мА
- Потужність розсіювання: 0,42 Вт
- Корпус: SOT23 (поверхневий монтаж)
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 220 мА (0,22 А), а в імпульсному режимі — 1,2 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 3000 мОм.
Потужність та конструкція
Максимальна потужність розсіювання — 0,42 Вт. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Корпус SOT23 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.42 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.22 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 450 ₴