Транзистор N-MOSFET Infineon 2N7002DWH6327XTSA1, 60В, 0.3А, SOT-363 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель 2N7002DWH6327XTSA1. Це подвійний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі PG-SOT-363, призначений для поверхневого монтажу. Комплект складається з 40 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 0.3 А
• Потужність розсіювання: 0.5 Вт
• Корпус: PG-SOT-363
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку обмежений значенням 0.3 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 0.5 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) зафіксований на рівні 4000 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™. Корпус PG-SOT-363 забезпечує компактність компонента. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачений.

Комплектація та ідентифікація

У наборі постачається 40 транзисторів.