Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN3A14FQTA, 30В, 2,6А, SOT23 (набір 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMN3A14FQTA, з максимальним струмом стоку 2,6 А. Поставляється набором із 40 одиниць у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-сорс: 30 В
• Струм стоку: 2,6 А
• Потужність розсіювання: 1 Вт
• Опір у відкритому стані: 95 мОм
• Корпус: SOT23, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-сорс 30 В та струм стоку 2,6 А. Потужність розсіювання становить 1 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 95 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD (поверхневий).

Тип каналу та напруга затвора

Транзистор має збагачуваний канал (enhancement mode). Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В. Увага: товар поставляється як набір із 40 транзисторів.