Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC, SO8, 100 В, 0,9 А (комплект 30 шт.)

Комплект із 30 транзисторів Diodes Incorporated моделі ZXMHC10A07N8TC у корпусі SO8. Це напівпровідникові компоненти типу N/P-MOSFET x2 з конфігурацією H-Bridge, призначені для монтажу на поверхню (SMD).

• Комплект із 30 транзисторів у корпусі SO8
• Тип N/P-MOSFET x2 з конфігурацією H-Bridge
• Напруга дрена-джерела: 100 В / -100 В
• Струм дрена: 0,9 А / -0,7 А
• Монтаж на поверхню (SMD)

Компактний корпус SMD

Транзистори виконані у стандартному корпусі SO8, що забезпечує щільне розміщення на друкованих платах. Метод монтажу SMD дозволяє автоматизувати процес виробництва та зменшити габарити кінцевого пристрою. Таке рішення є оптимальним для сучасної електроніки, де важлива мінімізація площі.

Потужність розсіювання та опір

Максимальна потужність розсіювання компонентів становить 0,87 Вт. Опір у стані провідності становить 0,9/1,45 Ом. Ці параметри визначають тепловий режим роботи транзисторів у схемах керування.

Напруга та струм дрена

Транзистори працюють з напругою дрена-джерела 100 В для N-каналу та -100 В для P-каналу. Максимальний струм дрена становить 0,9 А та -0,7 А відповідно. Напруга затвор-джерело може досягати ±20 В, що забезпечує гнучкість у підборі драйверів керування.

Конфігурація H-Bridge

Внутрішня структура компонентів реалізує функцію MOSFET H-Bridge, що поєднує N-канальні та P-канальні транзистори в одному корпусі. Це спрощує розробку схем керування навантаженням. Така інтеграція зменшує кількість зовнішніх компонентів на платі.

Комплектація та застосування