Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ30P03T1, -30В, -30А, SMD (WMQ30P03T1-CYG) — набір 40 шт.
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM157635
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ30P03T1, -30В, -30А, SMD (WMQ30P03T1-CYG) — набір 40 шт.В наявності
2 080 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMQ30P03T1 — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення. Компонент має максимальну напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -30 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: -30 В
- Постійний струм стіка: -30 А, імпульсний: -120 А
- Розсіювана потужність: 29,7 Вт
- Опір у відкритому стані: 16 мОм
- Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -30 В та витримує постійний струм стіка -30 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить -120 А. Напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 30 нКл. Опір у відкритому стані становить 16 мОм.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 29,7 Вт. Компонент виконаний у корпусі PDFN3030-8 для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація та монтаж
Товар постачається набором із 40 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 29.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴