Транзистор WAYON WMQ30DN04TS N-MOSFET x2 40V 28A PDFN3030-8 (комплект 40 шт.)
2 350 ₴
- В наявності
- Код: TM157634
Транзистор WAYON WMQ30DN04TS N-MOSFET x2 40V 28A PDFN3030-8 (комплект 40 шт.)В наявності
2 350 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMQ30DN04TS — це комплект із 40 штук подвійних N-MOSFET транзисторів у корпусі PDFN3030-8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях, що потребують керування струмом до 28 А при напрузі 40 В.
- Комплект із 40 транзисторів
- Тип: N-MOSFET x2 (подвійний)
- Напруга дрена-джерела: 40 В
- Струм дрена: 28 А (імпульсний 112 А)
- Корпус: PDFN3030-8
- Монтаж: SMD
Електричні параметри та характеристики
Транзистори мають напругу дрена-джерела 40 В та постійний струм дрена 28 А. У імпульсному режимі струм може досягати 112 А, а максимальна розсіювана потужність становить 18,4 Вт. Тип транзистора — N-MOSFET x2, канал вбудований (wzbogacany), полярність уніполярна.
Корпус, монтаж та додаткові параметри
Компоненти виконані у корпусі PDFN3030-8. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Опір у провідному стані становить 14,5 мОм, заряд затвора — 26 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В.
Комплектність
У пакеті постачається 40 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 18.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 28 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 350 ₴