Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ25P04T1, -40В, -25А, PDFN3030-8 (WMQ25P04T1-CYG) — набір 50 шт.
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM157633
Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ25P04T1, -40В, -25А, PDFN3030-8 (WMQ25P04T1-CYG) — набір 50 шт.В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMQ25P04T1 — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення. Компонент має максимальну напругу стік-витік -40 В та постійний струм стік -25 А.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: -40 В
- Постійний струм стік: -25 А, імпульсний: -100 А
- Опір у відкритому стані: 19 мОм
- Розсіювана потужність: 31,2 Вт
- Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
- Набір: 50 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до -40 В та витримує постійний струм стік -25 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить -100 А. Опір у відкритому стані становить 19 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 31,2 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN3030-8 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга на затворі обмежена величиною ±20 В, а заряд затвора становить 35 нКл.
Комплектація
Товар поставляється набором із 50 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 31.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴