Транзистор N-MOSFET WAYON WMM15N60C4, 600В, 7,8А, TO263 (WMM15N60C4-CYG) — набір 20 шт.
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM157627
Транзистор WAYON WMM15N60C4 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 7,8 А. Пристрій виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлений за технологією WMOS™ C4.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 7,8 А (імпульсний до 26 А)
- Корпус: TO263 для SMD монтажу
- Технологія виготовлення: WMOS™ C4
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 600 В та витримує імпульсний струм дрена до 26 А. Опір у стані провідності становить 0,3 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 86 Вт, а заряд затвора — 14,6 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент має корпус TO263, який оптимізований для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє розміщувати транзистор безпосередньо на друкованій платі без свердління отворів. Технологія виготовлення: WMOS™ C4. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±30 В, що визначає допустимий діапазон керуючого сигналу.
Комплектація
Товар поставляється набором із 20 штук. Транзистор є уніполярним.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 86 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 300 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ C4 |
- Ціна: 2 290 ₴