Транзистор N-MOSFET WAYON WMM09N65C2, 650В, 6А, TO263 (40 шт.)
2 270 ₴
- В наявності
- Код: TM157626
Транзистор N-MOSFET WAYON WMM09N65C2, 650В, 6А, TO263 (40 шт.)В наявності
2 270 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMM09N65C2 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO263 для SMD-монтажу. Комплект складається з 40 одиниць. Пристрій працює з напругою до 650 В та струмом до 6 А, розсіюючи потужність до 45 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга витоку-джерела: 650 В
- Струм витоку: 6 А
- Потужність розсіювання: 45 Вт
- Корпус: TO263, монтаж SMD
- Опір у стані провідності: 940 мОм
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 650 В, а допустимий струм витоку — 6 А. Опір у стані провідності дорівнює 940 мОм, що впливає на теплові втрати при роботі. Напруга на затворі обмежена ±30 В.
Корпус та технологія
Компонент виготовлений у корпусі TO263, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія WMOS™ C2.
Транзистор WAYON WMM09N65C2 є компонентом для електронних схем. Комплект із 40 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 45 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 940 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ C2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 270 ₴