Транзистор N-MOSFET WAYON WMJ80N65F2, 650V, 45A, TO247-3, 2 шт. (WMJ80N65F2-CYG)
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM157612
Транзистор WAYON WMJ80N65F2 — це силовий N-MOSFET із технологією WMOS™ F2, призначений для роботи в електричних колах із напругою до 650 В. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247-3 для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Струм дрена: 45 А (імпульсний: 245 А)
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Технологія: WMOS™ F2
- Комплектація: 2 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 45 А. У імпульсному режимі струм може досягати 245 А, а розсіювана потужність становить 410 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 37 мОм.
Технологія та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією WMOS™ F2, що визначає його ключові характеристики. Корпус TO247-3 призначений для монтажу на плату (THT). Час готовності становить 190 нс, а заряд затвора — 26,2 нКл. Допустима напруга затвор-джерело — ±30 В. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Комплект поставки включає 2 одиниці.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 410 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 37 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час готовності | 190 нс |
| Кількість у комплекті | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ F2 |
- Ціна: 1 990 ₴