Транзистор N-MOSFET WAYON WMB40N04TS, 40V, 40A, PDFN5060-8, набір 50 шт.
2 230 ₴
- В наявності
- Код: TM157606
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB40N04TS, 40V, 40A, PDFN5060-8, набір 50 шт.В наявності
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 50 транзисторів WAYON WMB40N04TS типу N-MOSFET. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PDFN5060-8. Основні параметри: напруга дренажу 40 В, струм дренажу 40 А, розсіювана потужність 33 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дренаж-джерело: 40 В
- Струм дренажу: 40 А (імпульсний до 160 А)
- Розсіювана потужність: 33 Вт
- Опір у провідному стані: 12 мОм
- Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 50 шт.
Електричні характеристики
Транзистор є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга між дренажем і джерелом становить 40 В, а напруга на затворі — ±20 В. Струм дренажу у імпульсному режимі досягає 160 А. Опір у провідному стані дорівнює 12 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі PDFN5060-8. Монтаж виконується методом SMD (поверхневий монтаж). Розсіювана потужність становить 33 Вт.
Комплектація
У наборі постачається 50 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 230 ₴