Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N10LG2, 100В, 50А, PDFN5060-8, 30 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM157604
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB119N10LG2, 100В, 50А, PDFN5060-8, 30 шт.В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB119N10LG2 — це N-MOSFET з напругою дрена-джерела 100 В та струмом 50 А. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PDFN5060-8 для монтажу SMD.
- Струм дрена 50 А
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Імпульсний струм 148 А
- Потужність розсіювання 75 Вт
- Опір у стані провідності 13 мОм
- Корпус PDFN5060-8 (SMD)
- Комплект: 30 шт.
Потужність та струм
Транзистор є уніполярним з каналом збагаченого типу. Максимальний імпульсний струм дрена становить 148 А, а розсіювана потужність — 75 Вт. Це вказує на здатність компонента працювати з високими імпульсними струмами.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення підходить для автоматизованого виробництва друкованих плат. Комплект поставки включає 30 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 50 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴