Транзистор N-MOSFET WAYON WMB115N15HG4, 150V, 75A, PDFN5060-8 (набір 20 шт.)
2 090 ₴
- В наявності
- Код: TM157603
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB115N15HG4, 150V, 75A, PDFN5060-8 (набір 20 шт.)В наявності
2 090 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів WAYON WMB115N15HG4 — це уніполярні N-MOSFET компоненти. Пристрої розраховані на напругу 150 В та постійний струм 75 А.
- Напруга дрена-джерела: 150 В
- Постійний струм дрена: 75 А
- Імпульсний струм: 300 А
- Розсіювана потужність: 125 Вт
- Опір у стані провідності: 11,5 мОм
- Корпус: PDFN5060-8 (SMD)
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 150 В та постійний струм дрена 75 А. Імпульсний струм може досягати 300 А, а розсіювана потужність становить 125 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 11,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані в корпусі PDFN5060-8 та призначені для поверхневого монтажу (SMD).
Додаткові характеристики
Заряд затвора становить 45 нКл, а напруга затвор-джерело — ±20 В. Канал збагачуваний, що визначає тип керування транзистором.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 125 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 75 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 090 ₴