Транзистор N-MOSFET WAYON WMB090DNV6LG4, 65V, 40A, SMD (WMB090DNV6LG4-CYG) — набір 30 шт.
2 640 ₴
- В наявності
- Код: TM157601
Транзистор N-MOSFET WAYON WMB090DNV6LG4, 65V, 40A, SMD (WMB090DNV6LG4-CYG) — набір 30 шт.В наявності
2 640 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMB090DNV6LG4 — це подвійний N-MOSFET з напругою дренаж-джерело 65 В та струмом дренажу 40 А. Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8 для монтажу SMD.
- Подвійний N-MOSFET з напругою 65 В та струмом 40 А
- Низький опір у відкритому стані 10,5 мОМ
- Піковий струм у імпульсному режимі до 160 А
- Розсіювана потужність 27,8 Вт
- Компактний корпус PDFN5060-8 для SMD монтажу
- Заряд затвора 22,1 нКл
Параметри струму та напруги
Постійний струм дренажу становить 40 А. У імпульсному режимі пристрій витримує піковий струм до 160 А. Максимальна розсіювана потужність становить 27,8 Вт.
Електричні характеристики
Низька резистанція в стані провідності 10,5 мОМ Заряд затвора дорівнює 22,1 нКл. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8. Тип монтажу: SMD. Максимальна напруга дренаж-джерело становить 65 В.
Транзистор WAYON WMB090DNV6LG4 є компонентом для електронних схем.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 27.8 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 65 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN5060-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 640 ₴