Транзистор N-MOSFET WAYON WMB072N12LG2-S, 120В, 90А, корпус PDFN5060-8 (набір 20 шт.)

Транзистор WAYON WMB072N12LG2-S — це N-канальний MOSFET з високим струмом та низьким опором у відкритому стані. Поставляється набором із 20 штук у корпусі PDFN5060-8 для поверхневого монтажу.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга стік-витік: 120 В
• Струм стіка: 90 А (імпульсний до 360 А)
• Опір у відкритому стані: 7 мОм
• Корпус: PDFN5060-8, монтаж SMD
• Комплектація: набір із 20 транзисторів

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 120 В та постійним струмом стіка 90 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 360 А. Опір у відкритому стані становить 7 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 118 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі PDFN5060-8. Монтаж здійснюється технологією SMD (поверхневий монтаж). Заряд затвора становить 52,5 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Поляризація транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.