Транзистор Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3, SiC, 650 В, 47 А, D2PAK
1 990 ₴
- В наявності
- Код: TM157456
Транзистор Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3, SiC, 650 В, 47 А, D2PAKВ наявності
1 990 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Qorvo (UnitedSiC) UJ3C065030B3 — це каскадний напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC). Це каскадний пристрій типу N-JFET / N-MOSFET.
- Напруга дрена-джерела: 650 В
- Постійний струм дрена: 47 А
- Опір у стані провідності: 27 мОм
- Корпус D2PAK для SMD-монтажу
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Розсіювана потужність: 250 Вт
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 650 В та постійний струм дрена 47 А. Імпульсний струм може досягати 230 А.
Ефективність та тепловіддача
Опір у стані провідності становить 27 мОм. Максимальна розсіювана потужність — 250 Вт.
Компактний монтаж
Компонент виконаний у корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD). Версія: ESD. Напруга затвор-джерело становить ±25 В. Заряд затвора дорівнює 51 нКл. Прилад є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 47 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 27 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Корпус | D2PAK |
| Виробник | Qorvo (UnitedSiC) |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 990 ₴