Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NK30Z, 300В, 37.5А, MAX247, 2 шт.

2 200 ₴

  • В наявності
  • Код: TM156969
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NK30Z, 300В, 37.5А, MAX247, 2 шт.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NK30Z, 300В, 37.5А, MAX247, 2 шт.В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STY60NK30Z — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 300 В та струмом до 37,5 А. Комплект складається з двох компонентів у корпусі MAX247 з технологією SuperMesh™ та захистом ESD.

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Напруга дрена-джерела: 300 В
  • Струм дрена: 37,5 А
  • Потужність розсіювання: 450 Вт
  • Опір у провідному стані: 45 мОм
  • Корпус: MAX247, монтаж THT
  • Захист ESD та технологія SuperMesh™
  • Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 300 В та максимальний струм дрена 37,5 А. Потужність розсіювання становить 450 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 45 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі MAX247 з виводами для вивідного монтажу (THT). Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичного розряду.

Технологія SuperMesh™

Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™.

Комплектація

У комплекті постачається 2 транзистори STY60NK30Z.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання450 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік300 В
Максимально допустимий струм стоку37.5 А
Опір у відкритому стані (Rds)45 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті2 шт.
КорпусMAX247
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 200 ₴