Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW56N65M2, 650В, 31А, TO247 (3 шт.)

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW56N65M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі TO247 з виводами для монтажу на плату (THT).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 650 В
• Постійний струм стіка: 31 А (імпульсний: 196 А)
• Розсіювана потужність: 358 Вт
• Опір у відкритому стані: 49 мОм
• Корпус: TO247, монтаж THT
• Комплектація: 3 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 650 В та постійний струм стіка 31 А. У імпульсному режимі струм може досягати 196 А, а максимальна розсіювана потужність становить 358 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 49 мОм, що впливає на теплові втрати при роботі. Напруга на затворі обмежена ±25 В, а повний заряд затвора — 93 нКл.

Корпус та монтаж

Прилад виконаний у стандартному корпусі TO247. Монтаж здійснюється через отвори на платі (технологія THT).