Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW3N150, 1500 В, 1,6 А, TO247 (5 шт.)
2 250 ₴
- В наявності
- Код: TM156964
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW3N150, 1500 В, 1,6 А, TO247 (5 шт.)В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW3N150 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на високу напругу. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрена-джерела: 1500 В (1,5 кВ)
- Струм дрена: 1,6 А
- Розсіювана потужність: 140 Вт
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Комплектація: 5 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1500 В (1,5 кВ) та максимальний струм дрена 1,6 А. Компонент розрахований на високу напругу.
Теплові характеристики
Максимальна розсіювана потужність становить 140 Вт,
Напруга затвора та опір у провідному стані
Допустима напруга затвор-джерело становить ±30 В, що визначає граничні умови керування транзистором. Опір у провідному стані дорівнює 9 Ом, Компонент виготовлений за технологією PowerMesh™, Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори),
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 140 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | PowerMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 250 ₴