
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12N120K5, 1200 В, 7,6 А, TO247 (3 шт.)
2 080 ₴
- В наявності
- Код: TM156961
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW12N120K5 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO247 для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 3 одиниць, що реалізуються як єдиний лот.
- Струм стоку 7,6 А
- Напруга стік-виток 1200 В
- Корпус TO247 для монтажу THT
- Розсіювання потужності 250 Вт
- Опір у відкритому стані 620 мОм
- Комплект із 3 транзисторів
Електричні характеристики
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагаченого типу. Максимальна напруга між стоком і витоком становить 1200 В, а постійний струм стоку — 7,6 А. Опір у відкритому стані дорівнює 620 мОм.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений у корпусі TO247 з виводами для встановлення на плату методом THT. Максимальна потужність розсіювання становить 250 Вт. Версія ESD.
Технологія та комплектація
Виріб реалізує технологію MDmesh™ K5 від STMicroelectronics. У комплекті постачається 3 транзистори.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7.6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 620 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | MDmesh™ K5 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 080 ₴
