Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NK90Z, 900В, 5,8А, SuperMesh™, TO247, 3 шт.
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM156960
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW11NK90Z — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розроблений для роботи з високою напругою та струмом. Комплект складається з 3 одиниць у корпусі TO247, що призначений для монтажу у отвори.
- Напруга дрена-джерела: 900 В
- Постійний струм дрена: 5,8 А
- Імпульсний струм дрена: 36,8 А
- Розсіювана потужність: 200 Вт
- Опір у стані провідності: 980 мОм
- Корпус: TO247, монтаж THT
- Технологія: SuperMesh™
- Комплектація: 3 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 900 В та постійний струм дрена 5,8 А. Імпульсний струм дрена становить 36,8 А.
Потужність та опір
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™, що впливає на його електричні характеристики. Максимальна розсіювана потужність становить 200 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 980 мОм, що визначає втрати при протіканні струму.
Корпус та комплектація
Транзистор виконаний у корпусі TO247 з виводами для монтажу у отвори (THT). Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В. Версія компонента — ESD.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 900 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 980 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TO247 |
| Технологія | SuperMesh™ |
- Ціна: 1 950 ₴