Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK40Z, 400В, 3,4А, TO220-3, SuperMesh, ESD (10 шт.)

1 940 ₴

  • В наявності
  • Код: TM156912
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK40Z, 400В, 3,4А, TO220-3, SuperMesh, ESD (10 шт.)
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK40Z, 400В, 3,4А, TO220-3, SuperMesh, ESD (10 шт.)В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7NK40Z — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™ у корпусі TO220-3. Комплект складається з 10 штук, призначений для монтажу на плату (THT). Модель має захист від електростатичного розряду (ESD).

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
  • Напруга дрена-джерела: 400 В
  • Струм дрена: 3,4 А
  • Потужність розсіювання: 70 Вт
  • Корпус: TO220-3, монтаж THT
  • Технологія: SuperMesh™, версія ESD
  • Комплектація: 10 штук

Напруга та струм

Максимальна напруга дрена-джерела становить 400 В, а номінальний струм дрена — 3,4 А. Ці параметри визначають електричні характеристики компонента.

Потужність та опір

Потужність розсіювання дорівнює 70 Вт. Опір у стані провідності становить 1 Ом, а допустима напруга між затвором і витоком — ±30 В.

Компонент виконаний у корпусі TO220-3. Тип монтажу — THT (вивідний), що дозволяє встановлювати транзистор у отвори друкованих плат. Версія ESD вказує на наявність вбудованого захисту від електростатичних розрядів.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання70 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік30 В
Максимально допустима напруга стік-витік400 В
Максимально допустимий струм стоку3.4 А
Опір у відкритому стані (Rds)1000 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220-3
ТехнологіяSuperMesh™
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 940 ₴