Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N80K5, 800В, 6А, SuperMESH5, 10 шт.
2 280 ₴
- В наявності
- Код: TM156911
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N80K5, 800В, 6А, SuperMESH5, 10 шт.В наявності
2 280 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP7N80K5 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із технологією SuperMESH5™. Комплект складається з 10 одиниць у корпусі TO220-3 для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 6 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Технологія: SuperMESH5™
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та струм дрена 6 А. Потужність розсіювання становить 110 Вт, а опір у стані провідності — 1,2 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±30 В. Канал збагачуваний, що визначає режим роботи приладу.
Технологія SuperMESH5™
Транзистор виготовлений за технологією SuperMESH5™. Корпус TO220-3 забезпечує стандартне кріплення та відведення тепла. Тип монтажу THT (through-hole technology) означає, що виводи проходять крізь отвори в платі. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.
Захист від ESD та комплектація
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMESH5™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 280 ₴