Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG, 600В, 21А, TO220-3 (5 шт.)
2 780 ₴
- В наявності
- Код: TM156909
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG, 600В, 21А, TO220-3 (5 шт.)В наявності
2 780 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP45N60DM2AG — це напівпровідниковий прилад у корпусі TO220-3. Комплект складається з 5 одиниць, призначених для монтажу на плату (THT).
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Постійний струм дрена: 21 А
- Імпульсний струм дрена: 136 А
- Розсіювана потужність: 250 Вт
- Опір у стані провідності: 93 мОм
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Комплект: 5 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має напругу дрена-джерела 600 В та постійний струм дрена 21 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 136 А, а розсіювана потужність становить 250 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 93 мОм.
Технологія та монтаж
Прилад виготовлений за технологією MDmesh™ DM2. Монтаж виконується методом THT (скрізь отвори). Поляризація транзистора — уніполярна, канал збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 21 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 93 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MDmesh™ DM2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 780 ₴