Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z, 600В, 5,7А, TO220-3 — набір 10 шт.
2 900 ₴
- В наявності
- Код: TM156902
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z, 600В, 5,7А, TO220-3 — набір 10 шт.В наявності
2 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP10NK60Z — це уніполярний компонент із технологією SuperMesh™. Модель має напругу дрена-джерела 600 В та струм дрена 5,7 А.
- Напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 5,7 А
- Потужність розсіювання 115 Вт
- Технологія SuperMesh™
- Версія ESD
- Набір із 10 транзисторів у корпусі TO220-3
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 600 В. Струм дрена становить 5,7 А. Напруга між затвором і витоком становить ±30 В.
Потужність та опір
Потужність розсіювання транзистора становить 115 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 0,75 Ом. Компонент має збагачуваний канал.
Технологія та захист
Компонент виготовлений за технологією SuperMesh™. Транзистор має версію ESD.
Корпус та комплектація
Транзистор має корпус TO220-3 із типом монтажу THT. Товар поставляється набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 115 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 750 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 900 ₴