Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN2NF10, SOT223, 100В, 2,4А (набір 20 шт.)
2 700 ₴
- В наявності
- Код: TM156900
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN2NF10, SOT223, 100В, 2,4А (набір 20 шт.)В наявності
2 700 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів STMicroelectronics STN2NF10 типу N-MOSFET у корпусі SOT223. Компоненти виготовлені за технологією STripFET™ II та призначені для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип: N-MOSFET, канал збагачений
- Напруга дрена-джерела: 100 В
- Струм дрена: 2,4 А
- Потужність розсіювання: 3,3 Вт
- Опір у стані провідності: 0,26 Ом
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Технологія: STripFET™ II
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела 100 В та струм дрена 2,4 А. Потужність розсіювання становить 3,3 Вт, а опір у стані провідності — 0,26 Ом. Напруга затвор-джерело допускає значення ±20 В.
Технологія та монтаж
Компонент виготовлений за технологією STripFET™ II. Корпус SOT223 та тип монтажу SMD дозволяють компактно розмістити транзистори на друкованих платах.
Комплектація
Транзистор є уніполярним пристроєм із збагачуваним каналом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 3.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технологія | STripFET™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 700 ₴