Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2, 600В, 2,9А, TO220FP (набір 20 шт.)
3 420 ₴
- В наявності
- Код: TM156874
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2, 600В, 2,9А, TO220FP (набір 20 шт.)В наявності
3 420 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення, Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF6N60M2 — це уніполярний напівпровідниковий прилад із каналом збагачення. Комплект із 20 одиниць у корпусі TO220FP.
- Набір із 20 транзисторів N-MOSFET
- Максимальна напруга дрена-джерела 600 В
- Струм дрена 2,9 А та потужність 20 Вт
- Опір у провідному стані 1,2 Ом
- Корпус TO220FP для вивідного монтажу (THT)
- Технологія MDmesh™ II Plus та версія ESD
Висока напруга та надійність
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 600 В. Максимальний струм дрена становить 2,9 А, а потужність розсіювання — 20 Вт. Параметри відповідають навантаженням у відповідних ланцюгах.
Технологія MDmesh™ II Plus
Використання технології MDmesh™ II Plus забезпечує низький опір у провідному стані — всього 1,2 Ом. Опір у провідному стані 1,2 Ом. Версія ESD.
Зручний монтаж THT
Компонент виконаний у корпусі TO220FP для вивідного монтажу (THT). Монтаж: THT (вивідний). Кількість у комплекті: 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 20 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmesh™ / / Plus |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 420 ₴