Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N80K5, 800В, 12,3А, TO220FP (5 шт.)
2 660 ₴
- В наявності
- Код: TM156870
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N80K5, 800В, 12,3А, TO220FP (5 шт.)В наявності
2 660 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF25N80K5 — це напівпровідниковий прилад із технологією SuperMESH5™. Комплект складається з 5 одиниць у корпусі TO220FP, з типом монтажу THT.
- Напруга дрена-джерела: 800 В
- Струм дрена: 12,3 А
- Потужність розсіювання: 40 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: SuperMESH5™
- Комплектація: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 800 В та постійний струм дрена 12,3 А. Імпульсний струм дрена становить 78 А, а напруга затвор-джерело — ±30 В.
Опір та канал
Транзистор має опір в стані провідності 0,26 Ом. Це N-MOSFET з каналом типу збагачення (unipolar).
Монтаж та версія ESD
Компонент має корпус TO220FP та тип монтажу THT (скрізний монтаж). Транзистор випускається у версії ESD.
Потужність розсіювання
Максимальна потужність розсіювання становить 40 Вт.
Транзистор STF25N80K5 є компонентом для електронних пристроїв.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 40 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 260 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | SuperMESH5™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 660 ₴