Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5, 650В, 10,7А, TO220FP (5 шт.)
2 140 ₴
- В наявності
- Код: TM156869
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5, 650В, 10,7А, TO220FP (5 шт.)В наявності
2 140 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF21N65M5 — це силовий напівпровідниковий прилад у корпусі TO220FP для монтажу на плату (THT). Комплект складається з 5 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 650 В
- Струм стіка: 10,7 А
- Потужність розсіювання: 30 Вт
- Опір у відкритому стані: 179 мОм
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Технологія: MDmesh™ V
- Комплект: 5 шт.
Технічні характеристики
Прилад є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення типу. Максимальна напруга стік-витік становить 650 В, а постійний струм стіка — 10,7 А. Потужність розсіювання дорівнює 30 Вт.
Особливості конструкції
Транзистор виготовлений за технологією MDmesh™ V. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 179 мОм. Корпус TO220FP.
Захист та комплектація
Версія ESD. У комплекті постачається 5 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±25 В. Прилад є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 30 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 650 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 179 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технологія | MDmeshTM В |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 140 ₴