Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N, 600В, 10А, TO220FP (набір 10 шт.)
3 160 ₴
- В наявності
- Код: TM156867
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N, 600В, 10А, TO220FP (набір 10 шт.)В наявності
3 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10NM60N — це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 600 В та струмом дрена 10 А. Силовий N-MOSFET транзистор. Тип каналу — збагачуваний, полярність — уніполярна.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Напруга дрена-джерела: 600 В
- Струм дрена: 10 А (імпульсний: 32 А)
- Потужність розсіювання: 25 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Набір: 10 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор витримує напругу дрена-джерела до 600 В. Номінальний струм дрена становить 10 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 32 А.
Корпус та монтаж
Потужність розсіювання становить 25 Вт. Корпус TO220FP, монтаж вставной (THT).
Комплектація та заряд затвора
Товар поставляється набором із 10 штук. Заряд затвора (Qg) становить 19 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 25 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 160 ₴