Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD95P3LLH6AG, DPAK, -30В, -80А (набір 10 шт.)

2 120 ₴

  • В наявності
  • Код: TM156865
Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD95P3LLH6AG, DPAK, -30В, -80А (набір 10 шт.)
Транзистор P-MOSFET STMicroelectronics STD95P3LLH6AG, DPAK, -30В, -80А (набір 10 шт.)В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

P-канальний MOSFET-транзистор STMicroelectronics STD95P3LLH6AG у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Призначений для комутації струму до -80 А при напрузі -30 В.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
  • Максимальна напруга стік-витік: -30 В
  • Постійний струм стіка: -80 А
  • Імпульсний струм стіка: -320 А
  • Потужність розсіювання: 104 Вт
  • Опір у відкритому стані: 6,9 мОм
  • Корпус: DPAK, монтаж SMD
  • Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік -30 В та постійний струм стіка -80 А. Імпульсний струм може досягати -320 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Потужність розсіювання становить 104 Вт, а опір у відкритому стані — 6,9 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі DPAK для технології поверхневого монтажу (SMD).

Керування

Заряд затвора становить 113 нКл. Напруга затвор-витік: ±18 В.

Характеристики
Основні
ВиробникSTMicroelectronics
Максимальна потужність розсіювання104 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік18 В
Опір у відкритому стані (Rds)6.9 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусDPAK
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 120 ₴