Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80ZT4, 800В, 1,57А, DPAK — набір 10 шт.
1 980 ₴
- В наявності
- Код: TM156864
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80ZT4, 800В, 1,57А, DPAK — набір 10 шт.В наявності
1 980 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD3NK80ZT4 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Компонент розрахований на напругу 800 В та струм 1,57 А, виготовлений у корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 800 В
- Струм стіка: 1,57 А
- Розсіювана потужність: 70 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Комплект: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор працює з напругою стік-витік до 800 В та витримує напругу затвор-витік ±30 В. Максимальний струм стіка становить 1,57 А.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK із технологією SuperMesh™. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).
Захист та комплектація
Компонент має версію ESD. Товар поставляється набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.57 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4500 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 980 ₴