Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N60M6, 600В, 13А, DPAK — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD18N60M6 — це уніполярний компонент у корпусі DPAK, з напругою дрена-джерела 600 В та струмом дрена 13 А.

• Напруга дрена-джерела 600 В
• Струм дрена 13 А (імпульсний 38 А)
• Потужність розсіювання 110 Вт
• Опір у стані провідності 0,23 Ом
• Корпус DPAK, монтаж SMD
• Комплект із 20 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 600 В. Номінальний струм дрена становить 13 А, а імпульсний струм може досягати 38 А.

Ефективне розсіювання тепла

Потужність розсіювання 110 Вт дозволяє компоненту розсіювати до 110 Вт при належному охолодженні.

Зручний монтаж SMD

Корпус DPAK та тип монтажу SMD Тип монтажу SMD.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 0,23 Ом.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів STD18N60M6.