Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4, 60V, 42A, D2PAK, SuperMesh™ (набір 10 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM156858
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4, 60V, 42A, D2PAK, SuperMesh™ (набір 10 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB60NF06T4 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель виконана в корпусі D2PAK для поверхневого монтажу (SMD) та виготовлена за технологією SuperMesh™, що забезпечує низький опір відкритого каналу. Комплект складається з 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-джерело: 60 В
- Максимальний струм стоку: 42 А
- Потужність розсіювання: 110 Вт
- Опір в стані провідності: 16 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технологія: SuperMesh™, захист ESD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Напруга та струм
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-джерело 60 В та струм стоку 42 А. Потужність розсіювання становить 110 Вт. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В.
Корпус та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією SuperMesh™. Опір в стані провідності становить 16 мОм. Корпус D2PAK та тип монтажу SMD визначають спосіб встановлення компонента. Компонент має версію ESD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 42 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технологія | SuperMesh™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴