Транзистор P-MOSFET Vishay SQ2351ES-T1_GE3, 2 Вт, SOT23, набір 30 шт.
1 860 ₴
- В наявності
- Код: TM156825
Транзистор P-MOSFET Vishay SQ2351ES-T1_GE3, 2 Вт, SOT23, набір 30 шт.В наявності
1 860 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор Vishay SQ2351ES-T1_GE3 — це уніполярний P-MOSFET у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Набір складається з 30 одиниць.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Максимальна потужність розсіювання: 2 Вт
- Кількість у комплекті: 30 шт.
- Заряд затвора: 5,5 нКл
- Опір у відкритому стані: 0,115 Ом
Технічні параметри
Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 2 Вт. Пристрій має канал збагаченого типу. Максимально допустима напруга затвор-виток становить ±12 В. Опір у відкритому стані дорівнює 0,115 Ом, а заряд затвора — 5,5 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT23. Тип монтажу — SMD (поверхневий).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 115 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 860 ₴