Транзистор N-MOSFET Vishay SQ2318CES-T1_GE3, 40V, 4A, SOT23 (набір 40 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM156824
Транзистор N-MOSFET Vishay SQ2318CES-T1_GE3, 40V, 4A, SOT23 (набір 40 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів N-MOSFET від виробника Vishay, модель SQ2318CES-T1_GE3. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23 та розраховані на напругу 40 В і струм 4 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 40 В
- Струм стоку: 4 А (імпульсний до 28 А)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 1 Вт
- Опір у відкритому стані: 63 мОм
- Набір: 40 штук
Тип та канал провідності
Компонент є уніполярним N-MOSFET із каналом збагачення.
Напруга та струм
Максимальна напруга між стоком та витоком становить 40 В, а постійний струм стоку — 4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 28 А. Напруга затвор-виток допускає значення ±20 В.
Потужність та опір
Розсіювана потужність компонента обмежена 1 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 63 мОм. Заряд затвора становить 13 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 63 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴