Транзистор N-MOSFET Infineon SPA06N80C3, 800В, 6А, PG-TO220-3-FP (набір 10 шт.)
2 150 ₴
- В наявності
- Код: TM156820
Транзистор N-MOSFET Infineon SPA06N80C3, 800В, 6А, PG-TO220-3-FP (набір 10 шт.)В наявності
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель SPA06N80C3, з максимальною напругою дренаж-витік 800 В. Це уніполярний компонент із каналом збагачення, який постачається у комплекті з 10 штук у корпусі PG-TO220-3-FP.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 800 В
- Струм стоку: 6 А, потужність розсіювання: 39 Вт
- Корпус: PG-TO220-3-FP, монтаж THT
- Технологія виробництва: CoolMOS™
- Комплектація: набір із 10 транзисторів
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 800 В, а допустимий струм стоку — 6 А. Потужність розсіювання дорівнює 39 Вт, опір у стані провідності — 0,9 Ом. Напруга затвор-витік обмежена ±20 В.
Корпус
Компонент виконаний у корпусі PG-TO220-3-FP. Монтаж здійснюється за технологією THT (монтаж в отвори).
Комплектація
Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™. Товар постачається набором із 10 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 6 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 900 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3-FP |
| Технологія | CoolMOS™ |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 150 ₴