Тиристорний модуль SEMIKRON DANFOSS SKKT 57B12 E, 1200 В, 55 А (SKKT 57B12 E 07897651)

Тиристорний модуль SEMIKRON DANFOSS SKKT 57B12 E — це напівпровідниковий компонент із подвійною послідовною структурою. Модуль забезпечує робочий струм 55 А та витримує зворотну напругу до 1200 В.

• Робочий струм 55 А
• Зворотна напруга до 1200 В
• Імпульсний струм 1500 А
• Корпус SEMIPACK1
• Конектори FASTON

Надійність у силових ланцюгах

Модуль має подвійну послідовну структуру напівпровідника. Максимальний струм провідності становить 95 А, а імпульсний струм — 1500 А.

Ефективне керування та монтаж

Електричне з'єднання здійснюється через конектори FASTON та винтові клемми. Механічне кріплення винтове, модуль встановлюється в корпусі SEMIPACK1. Версія: A48.

Технічні параметри

Максимальна напруга провідності становить 1,65 В. Струм керування затвором (брамки) дорівнює 150 мА.