Транзистор N-MOSFET Vishay SISS80DN-T1-GE3, 20V, 169A, PowerPAK 1212-8 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SISS80DN-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор із каналом збагачення, виготовлений за технологією TrenchFET®. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі PowerPAK® 1212-8. Максимальний струм стоку становить 169 А, а в імпульсному режимі — до 300 А.

• Струм стоку: 169 А (постійний), 300 А (імпульсний)
• Напруга стік-витік: 20 В
• Опір у стані провідності: 3 мОм
• Корпус: PowerPAK® 1212-8, монтаж SMD
• Технологія: TrenchFET®
• Комплектація: набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 169 А та імпульсний струм до 300 А. Максимальна напруга стік-витік становить 20 В.

Електричні параметри

Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 3 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 42 Вт.

Керування та заряд

Заряд затвора становить 122 нКл. Допустима напруга затвор-витік знаходиться в діапазоні від -8 до 12 В. Компонент є уніполярним із каналом збагачення.

Поставляється набором із 10 штук.