Транзистор P-MOSFET VISHAY SI4948BEY-T1-GE3, комплект 20 шт., SO8, -60В

Комплект із 20 транзисторів VISHAY SI4948BEY-T1-GE3 — це подвійні P-канальні MOSFET-транзистори в корпусі SO8. Вони призначені для монтажу на поверхню плати (SMD) та максимальна напруга стік-виток -60 В.

• Комплект із 20 транзисторів
• Подвійний P-MOSFET (x2) в одному корпусі
• Напруга стік-виток: -60 В
• Струм стоку: -2,4 А (постійний), -25 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 0,15 Ом
• Корпус SO8 для SMD-монтажу

Подвійний P-MOSFET у компактному корпусі

Транзистор має структуру P-MOSFET x2, що означає два окремих P-канальних транзистора в одному корпусі SO8. Це означає два окремих P-канальних транзистора в одному корпусі SO8. Технологія TrenchFET®.

Електричні параметри

Максимальна напруга між стоком та витоком становить -60 В, а постійний струм стоку — -2,4 А. При імпульсному режимі струм може досягати -25 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,15 Ом. Максимальна розсіювана потужність становить 0,95 Вт.

Зручність монтажу та комплектація

Компоненти виконані для поверхневого монтажу (SMD). У комплекті постачається 20 штук транзисторів.