Транзистор P-MOSFET Vishay SI4435FDY-T1-GE3, 30 шт., корпус SO8

Комплект із 30 транзисторів Vishay SI4435FDY-T1-GE3 типу P-MOSFET у корпусі SO8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD). Максимальна напруга стік-виток -30 В, постійний струм стоку -12,6 А.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-виток: -30 В
• Струм стоку: -12,6 А (постійний), -32 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 4,8 Вт
• Опір у відкритому стані: 30 мОм
• Корпус: SO8, монтаж SMD
• Комплектація: 30 шт.

Тип та полярність

Компонент є уніполярним P-MOSFET із каналом збагачення. Це означає, що транзистор закритий при нульовій напрузі на затворі та відкривається при подачі від’ємної напруги. Така полярність визначає схему підключення у ланцюгах із від’ємною напругою живлення.

Напруга та струм

Максимальна напруга між стоком та витоком становить -30 В. Постійний струм стоку дорівнює -12,6 А, а в імпульсному режимі він може досягати -32 А. Максимальна напруга на затворі відносно витоку обмежена значенням ±20 В.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність становить 4,8 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) дорівнює 30 мОм. Загальний заряд затвора (Qg) — 28 нКл.