Транзистор N-MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, 30 В, 5,8 А, SOT23 (40 шт.)
2 460 ₴
- В наявності
- Код: TM156296
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3, 30 В, 5,8 А, SOT23 (40 шт.)В наявності
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Vishay SI2366DS-T1-GE3 — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу (SMD). Комплект складається з 40 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 5,8 А
- Потужність розсіювання: 1,3 Вт
- Корпус: SOT23 (SMD монтаж)
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, а струм стоку — 5,8 А. Потужність розсіювання обмежена 1,3 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Імпульсний струм може досягати 20 А.
Імпульсні характеристики та заряд затвора
Імпульсний струм стоку становить 20 А. Заряд затвора становить 10 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 460 ₴