Діодний модуль SMC DIODE SOLUTIONS S4D80120S2, SiC, 1,2 кВ, 82 А

Діодний модуль SMC DIODE SOLUTIONS S4D80120S2 — це напівпровідниковий компонент із технологією SiC, діодний модуль з подвійною незалежною структурою.

• Технологія SiC
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Струм провідності 41 А x2 (загальний 82 А)
• Корпус SOT227
• Подвійна незалежна структура діодів
• Імпульсний струм до 245 А

Висока напруга та струм

Модуль працює з максимальною зворотною напругою 1,2 кВ, Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ. Струм провідності — 41 А на кожен із двох незалежних діодів, загальний максимальний струм — 82 А.

Технологія SiC та корпус SOT227

Технологія виготовлення — SiC. Корпус — SOT227. Механічне та електричне кріплення — прикручуване.

Структура та імпульсні характеристики

Структура — подвійна незалежна. Максимальний імпульсний струм — 245 А. Тип модуля — діодний, властивості — Шоттки.