Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S2M0016120K SiC 140A TO247-4

Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS із моделлю S2M0016120K. Це силовий компонент на основі карбіду кремнію (SiC) зі струмом 140A.

• Технологія SiC (карбід кремнію)
• Струм стіка 140A (імпульсний 314A)
• Розсіювана потужність 714W
• Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна
• Опір у відкритому стані 16mΩ

Технологія SiC

Компонент виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Це визначає його фізичні та електричні властивості як напівпровідникового приладу.

Електричні параметри

Максимальна розсіювана потужність становить 714W, а імпульсний струм — 314A. Номінальний струм стіка дорівнює 140A.

Корпус та монтаж

Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна. Тип монтажу — THT. Максимальна напруга затвор-витік становить 20V. Опір у відкритому стані — 16mΩ.