Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E120GNTB, 30В, 27А, HSMT8 (40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RQ3E120GNTB — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 27 А. Пакет містить 40 компонентів у корпусі HSMT8 для монтажу на поверхню (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 30 В
• Струм стіка: 27 А (імпульсний до 48 А)
• Розсіювана потужність: 15 Вт
• Опір у відкритому стані: 13,8 мОм
• Корпус: HSMT8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Керування та заряд затвора

Транзистор керується напругою затвор-витік у діапазоні ±20 В. Загальний заряд затвора становить 10 нКл.

Потужність та струм

Номінальний постійний струм стіка становить 27 А, а імпульсний струм може досягати 48 А. Розсіювана потужність транзистора — 15 Вт. Ці параметри визначають навантаження, яке компонент може витримати в робочому режимі.

Опір та напруга

Максимальна напруга стік-витік дорівнює 30 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 13,8 мОм.