Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E080BNTR, 30V, 8A, DFN2020-8S (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E080BNTR — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 8 А при напрузі 30 В. Товар поставляється комплектом із 40 штук у корпусі DFN2020-8S для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Струм стоку: 8 А (постійний), 32 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 17,6 мОм
• Корпус: DFN2020-8S, монтаж SMD
• Комплект: 40 штук

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік (drain-source) 30 В та постійним струмом стоку 8 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 32 А. Опір у відкритому стані становить 17,6 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі DFN2020-8S, що підходить для поверхневого монтажу (SMD). Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт.

Заряд затвора та напруга керування

Заряд затвора становить 14,5 нКл. Максимальна допустима напруга затвор-витік дорівнює ±20 В.